【堀場製作所】「2026堀場雅夫賞」受賞者が決定‐10月15日に授賞式・受賞記念セミナー

　堀場製作所はこのほど、国内外の大学または公的研究機関に所属する研究開発者を対象とした、分析・計測技術分野の研究奨励賞「堀場雅夫賞」の2026年度受賞者を決めた。授賞式と受賞記念セミナーは、学術界、行政、産業界をはじめとする関係者を招き10月15日、京都市左京区の京都大学国際科学イノベーション棟5階（西館）「HORIBAシンポジウムホール」で開催する。

　03年の創設以来22回目となる今回の選考テーマは、「高効率なエネルギー社会に貢献する先端材料の分析・計測技術」だった。国内外から28件（うち海外12件）の応募があり、当該分野の第一線で活躍する8人の研究者で構成される審査委員会が、将来性、独創性、ならびに分析・計測技術としての発展可能性を重視して審査した結果、3人を堀場雅夫賞受賞者、1人を特別賞受賞者に決定した。

　今回の受賞研究は、電池や水素製造装置の内部反応を動作中に可視化する技術や電極と電解液を一体で最適化するための解析手法、次世代パワー半導体の性能低下要因となる界面欠陥を原子レベルで捉える計測技術、SiC（炭化ケイ素）結晶中の構造欠陥の実態と進化を解明する研究など、エネルギー関連デバイスの高性能化と高信頼性を支える分析・計測技術の進展に資する成果が評価された。

　受賞者と受賞研究は次の通り。

　〈堀場雅夫賞〉

　▽折笠有基（オリカサ・ユキ）氏（立命館大学生命科学部応用化学科教授）：電気化学エネルギーデバイスの反応場を可視化するオペランドX線解析技術の開拓

　▽片山祐（カタヤマ・ユウ）氏（大阪大学産業科学研究所准教授）：電解・蓄電デバイスの電極・電解液統合設計を叶えるオペランド分光法の開発

　▽杉本宜昭（スギモト・ヨシアキ）氏（東京大学大学院新領域創成科学研究科教授）：パワー半導体における個々の界面準位の多次元計測技術の開発

　〈特別賞〉

　▽Moonkyong Na（ナ・ムンギョン）氏（韓国電気研究院先端半導体研究センター主任研究員）：高信頼性パワーデバイス実現に向けた4H-SiC中の多様な構造欠陥の包括的結晶学的解析と進化機構の解明